№ п/п

Перечень должностей

Квалификационные требования

Область исследований

Место (адрес) приёма заявления

Срок приёма заявления

Место и дата проведения конкурса

Научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии (НИЛ ЭМИ)

1.

Младший научный сотрудник

(0,5 ставки)

· Высшее образование (по направлению «Электроника и наноэлектроника»)

· Опыт работы по тематике научных исследований не менее 3 лет

· Наличие опубликованных произведений, статей в периодических изданиях

· Наличие публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования (Web of Science, Scopus, РИНЦ)

· Владение языком программирования Matlab, основами языка программирования Bash

· Навыки работы на научно-исследовательском оборудовании (на растровых электронных микроскопах TFS Axia ChemiSEM и Philips XL-40, на электронно-ионном микроскопе FEI Helios Nanolab 650, на просвечивающем электронном микроскопе FEI Titan Themis 200)

· Опыт педагогической работы с обучающимися по программам бакалавриата и магистратуры

· Участие в качестве исполнителя в выполнении НИР

· Изучение процессов первичного и вторичного распыления фокусированными ионными пучками подложек из кремния и диоксида кремния методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии, а также их атомистическое моделирование методами Монте-Карло в программном пакете SDTrimSP, молекулярной динамики в программном пакете LAMMPS

· Приготовление тонких фольг поперечного и планарного сечений для электронно-микроскопических исследований с применением метода in situ lift-out в электронно-ионном микроскопе FEI Helios Nanolab 650, оснащенного микроманипулятором Kleindiek MM3A-EM и системой инжекции газов для локального осаждения платиносодержащих соединений

· Исследование материалов методами просвечивающей электронной микроскопии и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа в электронном микроскопе FEI Titan Themis 200, оснащенном корректором сферической абберации объективной линзы, аналитической системой Super-X и кольцевым детектором электронов, рассеянных на большие углы, Fischione M300

· Разработка способов оптимизации режима краевого распыления при построчном сканировании ионного пучка по поверхности образца для формирования структур в кремнии и диоксиде кремния для уменьшения концентрации имплантированных атомов галлия и количества переосажденного материала

· Теоретическое и экспериментальное исследование процессов вторичного распыления подложки атомами, выбиваемыми падающим ионным пучком в области наклоненного на большой угол фронта травления, который формируется в режиме краевого распыления материала при построчном сканировании ионного пучка

· Изучение процессов взаимодействия ионов галлия с энергиями 5-8 кэВ с монокристаллическим кремнием методами просвечивающей электронной микроскопии и атомистического моделирования для выявления закономерностей аморфизации, накопления имплантированных атомов в приповерхностной области образца

124498, г. Москва, Зеленоград,

площадь Шокина, дом 1,

ОРП МИЭТ,

комната № 1113

до 18:00 час. 25.05.2026 г.

МИЭТ,

аудитория

№ 7223,

09.06.2026 г.